2010-2015年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)的總體復(fù)合年度增長(zhǎng)率將為13.7%
2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，2011年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素正文目錄
據(jù)研究。銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%
功率MOSFET2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)缺乏局面， 直到去年第三季度。難以滿足中國(guó)各行業(yè)的需求，包括外地數(shù)據(jù)處置、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開(kāi)關(guān)。
可能主要?dú)w功于中國(guó)政府的推動(dòng)。為了鼓勵(lì)投資和刺激經(jīng)濟(jì)， 去年功率MOSFET中國(guó)市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。中國(guó)政府推出了一系列政策。這些政府行動(dòng)使一些應(yīng)用功率MOSFET產(chǎn)業(yè)受益，包括汽車、通信、消費(fèi)、綠色能源與工業(yè)。這個(gè)消費(fèi)循環(huán)的最后一環(huán)是中國(guó)外地人口，尤其是那些鄉(xiāng)村居民，對(duì)于電子產(chǎn)品的需求非常旺盛。
中國(guó)政府在投資方面變得更加謹(jǐn)慎， 但是2011年功率MOSFET增長(zhǎng)速度不會(huì)像去年那么快。一方面。并開(kāi)始緊縮政策以抑制通脹。另一方面，日本3月地震預(yù)計(jì)會(huì)至少影響未來(lái)幾個(gè)月的晶圓與原材料供應(yīng)。下圖所示為2009-2015年中國(guó)MOSFET銷售額預(yù)測(cè)。
最大領(lǐng)域， 2010年數(shù)據(jù)處置占中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)的40%銷售額為9.01億美元。以筆記本電腦和臺(tái)式PC為主。IHSiSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，未來(lái)幾年，數(shù)據(jù)處置將繼續(xù)在中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)占據(jù)主要地位，2010-2015年增長(zhǎng)速度約為12%筆記本將是推動(dòng)增長(zhǎng)的主要因素。
占24%銷售額為5.45億美元， 2010年中國(guó)第二大功率MOSFET市場(chǎng)是消費(fèi)電子。受益于中國(guó)對(duì)電視和家用電器的旺盛需求。中國(guó)功率MOSFET其它市場(chǎng)包括：無(wú)線通信，占13%有線通信，占10%工業(yè)電子，占8%汽車電子，占5%
